Be Ready

Phương trình N2 + SiC → Si3N4 + C2N2

Xem thông tin chi tiết về điều kiện, quá trình, hiện tượng sau phản ứng, các chất tham phản ứng, các chất sản phẩm sau phản ứng của phương trình N2 + SiC → Si3N4 + C2N2

Thông tin chi tiết về phương trình

Điều kiện phản ứng khi cho tác dụng N2 + SiC

  • Chất xúc tác: không có
  • Nhiệt độ: 1000 - 1400
  • Áp suất: thường
  • Điều kiện khác: không có

Quá trình phản ứng N2 + SiC

Quá trình: đang cập nhật...

Lưu ý: không có

Hiện tượng xảy ra sau phản ứng N2 + SiC

Hiện tượng: đang cập nhật...

Thông tin chi tiết các chất tham gia phản ứng

Thông tin về N2 (nitơ)

  • Nguyên tử khối: 28.01340 ± 0.00040
  • Màu sắc: không màu
  • Trạng thái: khí
N2-nito-136

1. Hợp chất nitơ Phân tử nitơ trong khí quyển là tương đối trơ, nhưng trong tự nhiên nó bị chuyển hóa rất chậm thành các hợp chất có ích về mặt sinh học và công nghiệp nhờ một số cơ thể sống, chủ yếu là các vi khuẩn (xem Vai trò sinh học dưới đây). Khả năng kết hợp hay cố định nitơ là đặc trưng qua...

Thông tin về SiC (Silic cacbua)

  • Nguyên tử khối: 40.0962
  • Màu sắc: chưa cập nhật
  • Trạng thái: chưa cập nhật

Thông tin chi tiết các chất sản phẩm sau phản ứng

Thông tin về Si3N4 (Trisilic tetranitrua)

  • Nguyên tử khối: 140.2833
  • Màu sắc: chưa cập nhật
  • Trạng thái: chưa cập nhật

Thông tin về C2N2 (Cyanogen)

  • Nguyên tử khối: 52.0348
  • Màu sắc: chưa cập nhật
  • Trạng thái: chưa cập nhật
C2N2-Cyanogen-2037

Tổng số đánh giá:

Xếp hạng: / 5 sao

Các phương trình điều chế N2

(NH4)2Cr2O7
4
H2O
+
N2
+
Cr2O3

Chất xúc tác

thường

Nhiệt độ

168 - 185

Áp suất

thường

Điều kiện khác

thường

3
Br2
+ 2
NH3
N2
+ 6
HBr

Chất xúc tác

thường

Nhiệt độ

thường

Áp suất

thường

Điều kiện khác

thường

3
C
+ 2
KNO3
+
S
K2S
+
N2
+ 3
CO2

Chất xúc tác

thường

Nhiệt độ

temperature

Áp suất

thường

Điều kiện khác

thường

Xem tất cả phương trình điều chế N2

Các phương trình điều chế SiC

3
C
+
SiO2
2
CO
+
SiC

Chất xúc tác

thường

Nhiệt độ

thường

Áp suất

thường

Điều kiện khác

thường

Xem tất cả phương trình điều chế SiC